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代理产品

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IGBT芯片技术

IGBT芯片技术

1、芯能半导体凭借多年的技术以及市场积累,自主研发设计了国际领先的沟槽栅+场终止的IGBT芯片技术,使产品获得更佳的性能。
2、同时,为了应对特殊市场,研发部门还在开发一些专用的IGBT芯片技术,例如用于电磁加热市场更高性价比的RC-IGBT芯片等。

IGBT芯片特点

  • 更低的导通损耗
  • 更低的开关损耗
  • 更快的开关速度
  • 更大的安全工作区(SOA)
  • 更强的短路能力
  • 超薄的芯片,更好的散热

 产品列表
型号
规格
封装
参数
应用
XNA6N60T
600V/6A
TO-263
Vcesat=2.10v,Tsc>10us
电机驱动
XNT10N60T
600V/10A
TO-220
Vcesat=1.65v,Tsc>10us
电机驱动、变频器
XNF15N60T
600V/15A
TO-220F
Vcesat=1.90v,Tsc>10us
电机驱动、工缝
XNF20N60T
600V/20A
TO-220F
Vcesat=1.70v,Tsc>10us
电机驱动、变频器
XNS20N60T
600V/20A
TO-247
Vcesat=1.70v,Tsc>10us
电机驱动、变频器
XNS40N60T
600V/40A
TO-247
Vcesat=1.75v,Tsc>10us
焊机、电机驱动、电磁加热
XNS40N120T
1200V/40A
TO-247
Vcesat=1.80v,Tsc>10us
电焊机、电机驱动
XNL40N120T
1200V/40A
TO-264
Vcesat=1.80v,Tsc>10us
电焊机、电机驱动
SP25N135T
1350V/25A
TO-3P
Vcesat=1.90v,Tsc>10us
电磁加热
SP25N135TR
1350V/25A
TO-3P
Vcesat=2.10v,Tsc>10us
电磁加热
XNS25N135TR
1350V/25A
TO-247
Vcesat=2.10v,Tsc>10us
电磁加热